アバランシェ降伏
→なだれ降伏
アバランシェダイオード
→インパットダイオード
とまあ、いつものように先送りが多いけどな、気にせず続きを書こう。
アバランシェトランジスタ
avalanche transistor
バイポーラトランジスタの破壊の原因となるなだれ降伏現象を積極的に応用したトランジスタ。トランジスタのエミッタ・ベース間を短絡してエミッタ・コレクタ間に電圧を印加すると、ある電圧を境に電流の急増が起こる（なだれ一次降伏）。さらに電流を増やすとインピーダンスが激減して電圧が下がる負性抵抗効果が見られる（なだれ二次降伏）ようになる。このなだれ降伏現象を利用したスイッチングデバイスとして開発されたのがアバランシェトランジスタであるが、その一次及び二次降伏電圧を知ることにより、通常のバイポーラトランジスタで代用することがある。但し、長時間導通状態とするとトランジスタが破壊されることがあるので注意を要する。
→負性抵抗
（本文ここまで）
ユニポーラトランジスタ(FET)でもアバランシェトランジスタの開発が行われてるみたいやけども、あんまし耐用年数が長そうにないちゅう印象があるな。
アバランシェフォトダイオード
→なだれフォトダイオード
専門外の「走りもの」の説明文を書くんはむずいが、これも修業じゃ。
