わしの電子工学用語集（６８）

現在の電子デバイスは多数キャリアを扱うモノポーラデバイスが主流で、これは高速化や低消費電力化のためにも当然の流れや。そんでのうても、少数キャリアには再結合寿命があるし、バイポーラトランジスタのベース領域に注入される少数キャリアは、拡散せなんだら増幅に寄与でけんねんからの。

 

アインシュタインの関係式

 

Einstein's relation

 

熱平衡状態における半導体中のキャリアの拡散による移動に関する関係式。あるキャリアの拡散係数を D 、移動度を µ としたとき、D/µ = kT/e （k はボルツマン定数、T は絶対温度、e は素電荷）が成り立つ。

 

〔補説〕1905 年にアインシュタインは、ランダムなブラウン運動を記述する線形ランジュバン方程式を用いて、拡散係数 D 、移動度 µ のブラウン粒子は、D = µkT の関係があることを示した。これが上記のアインシュタイン関係式の原形である。

 

（本文ここまで）

 

デバイスの高速化や高周波対応のためには、キャリアが電界に逆らって移動することを利用するバイポーラデバイスは不向きで、それが理由でトランジスタはＦＥＴやＨＥＭＴに取って代わられたんやな。