半導体業界は曲り角を曲がった局面にあるて見られる。その理由の一つには集積度向上の限界が見えてきたこと、一つには集積度向上による性能向上の限界が見えてきたことがある。
集積度が上がるとデバイスの速度向上や消費電力の低減などのメリットがある一方で、電界の増大その他による影響が顕著になって来て、ミクロンオーダーでは考えんでもよかった絶縁体に由来する効果が無視でけんようなる。それに、トランジスタのチャネル長が電子のド・ブロイ波長と同程度になると、量子論的効果が現れるようなるさかい、サイズ縮小による高速化が効かんようなってまう。
アンチドット
antidot
半導体超格子構造の一種で、エネルギーギャップの大きい半導体の三次元的なナノサイズ（その半導体における電子のド・ブロイ波長と同程度の大きさ）の点（ドット）を、エネルギーギャップの小さい半導体で三次元的に囲んだ半導体ヘテロ接合構造のこと。または、半導体にナノサイズの空孔を開けたもの。すなわち、電子を極めて狭い空間に閉じ込める半導体量子ドットとは逆のエネルギーバンド構造を持ち、電子を排除する作用がある。高速電子デバイスなどへの応用が考えられた研究が行われている。
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